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新能源汽车应用1200V16mΩ碳化硅MOSFET丨三安半导体确认申报2

2024-09-11 15:02 | 来源:盖世汽车 | 阅读量:15953 |

导读申请技术丨新能源汽车应用1200V16mΩ碳化硅MOSFET 申报领域丨车规级芯片 独特优势: 业内领先的FOM*QG)指数,安全的开启电压以及可靠的栅极氧化层设计,同时可以实现更加稳定的导通电阻高温性能。得益于更高晶胞单位密度的先进...

申请技术丨新能源汽车应用1200V 16mΩ碳化硅MOSFET

申报领域丨车规级芯片

独特优势:

业内领先的FOM*QG)指数,安全的开启电压以及可靠的栅极氧化层设计,同时可以实现更加稳定的导通电阻高温性能。得益于更高晶胞单位密度的先进工艺和优化的晶胞结构,MOSFET在导通电阻和栅极电荷特性方面能做到更好的平衡,降低变换器的损耗和器件温升,提升变换效率。

应用场景:

新能源汽车OBC、DC/DC、电驱系统、空调压缩机等

未来前景:

未来可以大规模使用在电动汽车主驱逆变器领域,同时逐步向光伏储能等大功率模块市场渗透

金辑奖介绍:

“金辑奖”由盖世汽车发起,旨在“发现好公司,推广好技术,成就汽车人”, 并围绕着“中国汽车新供应链百强”这个主题进行展开,本届金辑奖重点聚焦智能驾驶、智能座舱、智能底盘、汽车软件、车规级芯片、大数据及人工智能、动力总成及充换电、热管理、车身及内外饰、新材料十大细分板块,进行优秀企业及先进技术解决方案的评选,向行业内外展示这些优秀的企业和行业领军人物,共同推动行业的发展和进步。

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